[发明专利]一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法

摘要

本发明涉及一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其方法如下：(1)通过金刚线切片机将多晶硅锭切割成多晶硅片；（2）预清，清除多晶硅片表面残留物，随后烘干；（3）将多晶硅片至于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；（4）化学清洗清除多晶硅片表面金属离子残留；（5）由自动分选机筛选；本发明利于提高金刚线多晶硅片光电转换效率，降低电池制造端的投入成本。

主权项

1.一种新型金刚线多晶硅片表面喷砂粗糙方法，其特征为，其方法如下：(1) 将多晶硅锭通过金刚线切片机，切割成多晶硅片；（2）将多晶硅片预清洗，清除多晶硅片表面残留物，随后将多晶硅片烘干；（3）将烘干后的多晶硅片置于喷砂流水线，进行喷砂粗糙处理，将碳化硅均匀喷涂于多晶硅片表面，使多晶硅片表面形成厚度为2um~6um的单面粗糙面；所述喷砂流水线包括转盘工作台、喷砂机构和精密过滤器，所述转盘工作台上设有若干漏孔，所述转盘工作台底部设有碳化硅回收室，所述碳化硅回收室与精密过滤器之间设有导料管，所述碳化硅回收室顶部设有负压吸附装置，所述喷砂机构包括若干喷砂管和输料管，所述输料管分别与若干喷砂管和精密过滤器相连，所述输料管上设有气砂混合器，若干喷砂管上均设有若干导管，所述导管上设有喷头和偏心轮机构，所述喷头与转盘工作台垂直，且距离多晶硅片表面20mm，所述喷砂机构外设有护罩，所述护罩与碳化硅回收室位置对应设置；（4）对喷砂粗糙处理后的多晶硅片进行化学清洗，清除多晶硅片表面金属离子残留，随后将多晶硅片烘干；（5）将经步骤（4）的多晶硅片置于自动分选机上进行自动检测硅片表面质量，将表面无穿孔、边缘和表面无破损的多晶硅筛选出进行储存。