[发明专利]一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法在审
| 申请号： | 201610841057.3 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106222611A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及宽禁带半导体的制备领域，特别涉及一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)通入N2、Ar混合气体溅射沉积底层AlN薄膜；(4)通入N2、Ar混合气体溅射沉积AlN薄膜，N2的含量不变，增加腔体内气体气压。本发明方法制备出的AlN薄膜具有(002)面择优取向生长，表面晶粒尺寸均匀，表面粗糙度小的优点，是适合制作声表面波器件的高质量AlN压电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 压电 薄膜 中频 反应 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)通入N2、Ar混合气体溅射沉积底层AlN薄膜，溅射沉积时间20min～90min，其中N2的含量占20％～30％；(4)通入N2、Ar混合气体溅射沉积AlN薄膜，N2的含量不变，增加腔体内气体气压，溅射沉积时间5min～15min。
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