[发明专利]一种通过界面调控法制备溶剂化纳米晶热电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610839195.8 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106328801B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 唐智勇;丁德芳 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过界面调控法制备溶剂化纳米晶热电薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将溶剂化纳米晶溶液旋涂于基片上，制备纳米晶薄膜；(2)将制得的纳米晶薄膜浸泡于短链配体溶液中，剥除纳米晶薄膜表面的原始有机配体；(3)将剥除原始有机配体的纳米晶薄膜进行退火处理，得到溶剂化纳米晶热电薄膜。本发明提供的界面调控法制备的溶剂化纳米晶薄膜具有良好的热电性能，该技术与目前微电子领域的半导体器件制备方法兼容，而且可操作性高，成本低，适用性广泛，为将来微电子领域的热电薄膜器件的大规模生产制备引导了方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 界面 调控 法制 溶剂 纳米 热电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溶剂化纳米晶热电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将溶剂化纳米晶溶液旋涂于基片上，制备纳米晶薄膜；(2)将步骤(1)中制得的纳米晶薄膜浸泡于短链配体溶液中，剥除纳米晶薄膜表面的原始有机配体；所述短链配体为硫氰酸铵、乙二胺、1,3‑丙二胺或硫化钾中任意一种或至少两种的组合；(3)将剥除原始有机配体的纳米晶薄膜进行退火处理，得到溶剂化纳米晶热电薄膜，所述退火处理的温度为250～450℃，所述退火处理的时间为20～60min。
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