[发明专利]一种硼掺杂氧化锌片层球/p-型PET-ITO异质结及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610831659.0 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN106373992B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 于琦;王维;艾桃桃;袁新强;姜立运;李文虎;蒋鹏 申请(专利权)人: 陕西理工学院
主分类号: H01L29/22 分类号: H01L29/22;H01L29/24;H01L29/861;H01L21/34;H01L21/02;B01J31/26;B82Y30/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 岳培华
地址: 723003 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结及其制备方法和应用,制备时以六水硝酸锌、乌洛托品和硼酸为主要反应物,先在柔性衬底PET‑ITO表面离子溅射一层很薄的ZnO籽晶层;然后配制不同浓度硼掺杂的氧化锌前驱体溶液;再在垂直放入的柔性衬底上,水热法生长B掺杂ZnO纳米结构,获得可用作催化剂的B‑ZnO/PET‑ITO异质结。本发明通过水热反应获得的产物具有特殊的片层球形貌,典型的整流特性,对有色偶氮染料活性黄15有较强的降解作用,在异质结二极管、环境治理等领域具有广阔的研究前景,适合大面积生产和应用。
搜索关键词: 一种 掺杂 氧化 锌片 pet ito 异质结 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种硼掺杂氧化锌片层球/p‑型PET‑ITO异质结,其特征在于:包括:在PET‑ITO柔性衬底的表面生长的氧化锌籽晶层以及在氧化锌籽晶层表面生长的纳米结构的硼掺杂的氧化锌片层球;所述的PET‑ITO柔性衬底的表面是ITO层的上表面,ITO层的下表面与PET层接触;硼掺杂的氧化锌片层球为n型半导体,PET‑ITO柔性衬底为p型半导体,硼掺杂的氧化锌片层球分布在PET‑ITO柔性衬底的表面,形成n‑p异质结结构。
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