[发明专利]LDO电路有效
申请号: | 201610829204.5 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106385100B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 杨靖;梅当民;刘柳 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 |
主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06;H02H3/20 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 300457 天津市滨海新区天津开发*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种LDO电路,该LDO电路包括第一电源、第二电源、第一LDO主体模块(002)、第二LDO主体模块(003)和选通模块(004),第一电源和第二电源用于给LDO电路提供电源;选通模块(004)包括两个输入端,两个输入端分别连接第一电源和第二电源,选通模块(004)用于根据第一电源和第二电源从第一LDO主体模块(002)和第二LDO主体模块(003)中选择之一为芯片内部供电。本发明通过在双电源系统,设置选通结构,选择双电源系统中的任一电源给芯片内部供电,同时,通过检测浪涌电压来关断双电源,起到安全的供电。 | ||
搜索关键词: | ldo 电路 | ||
【主权项】:
1.一种LDO电路,包括第一电源和第二电源,所述第一电源和所述第二电源用于给所述LDO电路提供电源,其特征在于,所述LDO电路还包括:第一LDO主体模块(002)、第二LDO主体模块(003)和选通模块(004);所述选通模块(004)包括两个输入端,所述两个输入端分别连接所述第一电源和所述第二电源,所述选通模块(004)用于根据所述第一电源和所述第二电源从所述第一LDO主体模块(002)和所述第二LDO主体模块(003)中选择之一为芯片内部供电;所述选通模块(004)比较所述第一电源和所述第二电源,当所述第一电源大于所述第二电源时,所述第一LDO主体模块(002)给芯片内部供电;当所述第一电源的值小于所述第二电源的值时,所述第二LDO主体模块(003)给芯片内部供电;所述选通模块(004)包括:比较器(COMP)、反相器、第三晶体管(P3)和第四晶体管(P4);所述比较器(COMP)的第一输入端连接第一电源,第二输入端连接第二电源,输出端与所述反相器的输入端、所述第四晶体管(P4)的第二端连接;所述反相器的输出端与所述第三晶体管(P3)的第二端连接;所述第三晶体管(P3)的第一端与所述第一LDO主体模块(002)连接,所述第三晶体管(P3)的第三端与所述第四晶体管(P4)的第三端连接;所述第四晶体管(P4)的第一端与所述第二LDO主体模块(003)连接;当所述比较器(COMP)的第一输入端连接的所述第一电源的值大于所述比较器(COMP)的第二输入端连接的所述第二电源的值时,所述第三晶体管(P3)处于导通状态,所述第四晶体管(P4)处于截止状态;当所述比较器(COMP)的第一输入端的所述第一电源的值小于所述比较器(COMP)的第二输入端的所述第二电源的值时,所述第三晶体管(P3)处于截止状态,所述第四晶体管(P4)处于导通状态;所述第一LDO主体模块(002)包括:第一晶体管(P1);所述第一晶体管(P1)的第二端连接所述第一电源,所述第一晶体管(P1)的第三端与所述第三晶体管(P3)的第一端连接;当所述比较器(COMP)的第一输入端连接的所述第一电源的值大于所述比较器(COMP)的第二输入端连接的所述第二电源的值时,所述第三晶体管(P3)处于导通状态,使所述第三晶体管(P3)的第一端与所述第一晶体管(P1)的第三端接通,进而使所述第一LDO主体模块(002)给所述芯片内部供电;所述第二LDO主体模块(003)包括:第二晶体管(P2);所述第二晶体管(P2)的第二端输入所述第二电源,所述第二晶体管(P2)的第三端与所述第四晶体管(P4)的第一端连接;当所述比较器(COMP)的第一输入端连接的所述第一电源的值小于所述比较器的第二输入端连接的所述第二电源的值时,所述第四晶体管(P4)处于导通状态,使所述第四晶体管(P4)的第一端与所述第二晶体管(P2)的第三端接通,进而使所述第二LDO主体模块(003)给所述芯片内部供电;还包括:第一保护模块(005);所述第一保护模块(005)用于在检测浪涌电压时,关断所述第一LDO主体模块(002);其中,所述第一保护模块(005)包括:第五晶体管(P5)、第五齐纳管(Z5)、第五电阻(R5)和第五电容(C5);所述第五晶体管(P5)的第三端与所述第一晶体管(P1)的第一端连接;第五晶体管(P5)的第二端、第五齐纳管(Z5)的第一端、第五电阻(R5)的第一端相互连接;第五晶体管(P5)的第一端、第五齐纳管(Z5)的第二端、第五电阻(R5)的第二端相互连接,并连接第五电容(C5)的第一端,第五电容(C5)的第二端接地;当所述第五晶体管(P5)的第二端检测到浪涌电压时,所述第五晶体管(P5)通过所述第五晶体管(P5)的第三端对所述第一晶体管(P1)的第一端充电,达到关断所述第一晶体管(P1),保护内部芯片的目的;还包括:第二保护模块(006);所述第二保护模块(006)用于在检测浪涌电压时,关断所述第二LDO主体模块(003);其中,所述第二保护模块(006)包括:第六晶体管(P6)、第六齐纳管(Z6)、第六电阻(R6)和第六电容(C6);所述第六晶体管(P6)的第三端与所述第二晶体管(P2)的第一端连接;第六晶体管(P6)的第二端、第六齐纳管(Z6)的第一端、第六电阻(R6)的第一端相互连接;第六晶体管(P6)的第一端、第六齐纳管(Z6)的第二端、第六电阻(R6)的第二端相互连接,并连接第六电容(C6)的第一端,第六电容(C6)的第二端接地;当所述第六晶体管(P6)的第二端检测到浪涌电压时,所述第六晶体管(P6)通过所述第六晶体管(P6)的第三端对所述第二晶体管(P2)的第一端充电,达到关断所述第二晶体管(P2),保护内部芯片的目的。
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