[发明专利]单层多晶硅非易失性存储单元有效
| 申请号： | 201610829102.3 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107093456B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 崔光一;朴圣根;金南润 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种单层多晶硅非易失性存储单元包括耦合电容器、单元晶体管和选择晶体管。单元晶体管具有浮栅、第一源极和第一漏极。浮栅经由耦合电容器耦接到阵列控制栅极/源极线。第一源极耦接到阵列控制栅极/源极线。选择晶体管具有选择栅极、第二源极和第二漏极。选择栅极耦接到字线。第二源极耦接到第一漏极。第二漏极耦接到位线。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 多晶 硅非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括：耦合电容器；单元晶体管，具有浮栅、第一源极和第一漏极，其中，浮栅经由耦合电容器而耦接到阵列控制栅极/源极线，其中，第一源极耦接到阵列控制栅极/源极线；以及选择晶体管，具有选择栅极、第二源极和第二漏极，其中，选择栅极耦接到字线，其中，第二源极耦接到第一漏极，其中，第二漏极耦接到位线。
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