[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。

主权项

一种半导体装置，包括：第一绝缘膜，所述第一绝缘膜设置在半导体衬底之上；第一互连，所述第一互连设置在所述第一绝缘膜上方；第二绝缘膜，所述第二绝缘膜设置在所述第一互连上方并且具有第一开口；镀敷膜，所述镀敷膜设置在所述第一开口中；以及狭缝，所述狭缝设置在所述第一开口的侧面中，其中所述第一开口的底部是焊盘区，所述焊盘区是第一互连的部分，并且其中所述镀敷膜还设置在所述狭缝中。