[发明专利]一种倒装高压芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201610824816.5 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106159056A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;何键云 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种倒装高压芯片及其制作方法，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 高压 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒装高压芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的N型氮化镓层，位于所述N型氮化镓层表面的有源层和N型电极，位于所述有源层表面的P型氮化镓层，位于所述P型氮化镓层表面的金属反射层，位于所述金属反射层表面的P型电极, N型电极与P型电极之间相互绝缘；将相连的发光微结构的N型电极和P型电极连接形成串联结构；在所述发光微结构表面形成分布布拉格反射层；在所述分布布拉格反射层表面形成N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘连接所述N型电极，所述P型焊盘连接所述P型电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610824816.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
