[发明专利]一种瓦氏秋海棠的离体再生方法

摘要

本发明公开了一种瓦氏秋海棠的离体再生方法，对瓦氏秋海棠的种子进行萌发培养，诱导培养，生根培养，并对培养基进行了研究。本发明结合瓦氏秋海棠的生长特点，选用了合适的植物生长调节剂种类和浓度，能够有针对性地诱导瓦氏秋海棠叶片形成不定芽，继而诱导根的发育，最终使试管苗能够发育成为完整的植株，移栽成活率达到95％以上。利用本发明能快速、高效地繁殖瓦氏秋海棠，为今后更进一步合理利用该物种奠定良好的基础。

主权项

1.一种瓦氏秋海棠的离体再生方法，包括如下步骤：1)萌发培养将瓦氏秋海棠种子消毒，然后播种于萌发培养基上，进行光照培养，培养温度为20～25℃，光照时间为12～18小时/天，种子生长10～15天后萌发，形成幼苗，待子叶抽出后，将幼苗分成单株，移苗至萌发培养基上，继续培养至长出叶片；所述的萌发培养基为1/2MS培养基或MS培养基，添加蔗糖10～30g/L以及植物凝胶3～4g/L，pH为5.8～6.2；2)诱导培养将步骤1)的幼叶剪切为面积在0.5～1cm2的叶片，作为外植体，接种于诱导培养基上进行光照培养20～30天，诱导产生愈伤组织和不定芽，培养温度为20～25℃，光照时间为12～18小时/天；其中，诱导培养基为MS培养基，添加6‑BA 4.0～6.0mg/L，NAA0.1～0.4mg/L，2,4‑D 0.1～0.2mg/L和植物凝胶3～4g/L，pH调节到5.8～6.2；3)生根培养将步骤2)中获得的不定芽置于生根培养基中进行生根培养，培养15～20天，获得瓦氏秋海棠的生根苗；所述生根培养基为1/2MS培养基，添加NAA 0.1～0.3mg/L和植物凝胶3～4g/L；4)移栽将步骤3)获得的生根苗移栽至栽培基质中，覆盖保鲜膜保湿，在温室中光照培养3～7天后，揭膜，转入自然光下继续生长，及时浇水、施肥，经常规培养后获得瓦氏秋海棠栽培苗。