[发明专利]2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积

摘要

本发明涉及2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积。具体地，公开了使用激光辅助原子层沉积来形成2D金属硫属化物膜的方法。一种直接生长方法包含贴附含金属分子层至经加热的基材的表面；然后使该含金属分子层与使用等离子体输送的含硫属化物的自由基化的前体气体反应以形成金属硫属化物的非晶2D膜；然后对该非晶2D膜进行激光退火以形成该金属硫属化物的结晶2D膜，其可以具有MX或MX2的形式，其中M为金属且X为硫属化物。还公开了一种包含形成MO3膜的间接生长方法。

主权项

一种在基材的表面上形成金属硫属化物的基本二维(2D)的膜的方法，该方法包含：a)使用原子层沉积(ALD)工艺贴附含金属分子层至经加热的基材的表面；b)使该含金属分子层与使用等离子体输送的含硫属化物的自由基化的前体气体反应以形成金属硫属化物的非晶且基本2D的膜；以及c)对该非晶且基本2D的膜进行激光退火以由此形成该金属硫属化物的基本结晶且基本2D的膜，其中该金属硫属化物可具有MX或MX2的形式，其中M为金属且X为硫属化物。