[发明专利]一种过温保护装置及方法有效
申请号: | 201610817234.4 | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN107805797B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 田保峡;王力;李天笑 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C30B25/16;C30B28/14;H01L21/67 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种过温保护装置及方法,适用于MOCVD设备,包含:信息采集装置,采集MOCVD设备的运行参数信息;信号转换装置,与信息采集装置连接,对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换;实时控制器,与信号转换装置连接,接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息,检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件;连锁保护电路,与实时控制器连接,当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时,该连锁保护电路被触发,启动应急保护措施。本发明通过采集MOCVD设备的运行参数信息对于可能发生的温度失控等事故进行准确的预测和判断,及时启动有效的应急保护措施,确保设备不受损伤并且避免人员伤亡。 | ||
搜索关键词: | 一种 保护装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种过温保护装置,适用于MOCVD设备,所述的MOCVD设备包含:反应腔,由位于顶端的腔体盖板,位于底端的腔体底板,以及连接在腔体盖板和腔体底板之间的侧壁构成,呈筒状结构;以及设置在该反应腔内的:托盘,放置需要进行MOCVD工艺的晶圆;进气装置,设置在腔体盖板上,与托盘相对设置,通过气体管道与工艺气体源头连接,且所述的气体管道上设置有气阀;旋转装置,由旋转驱动机构以及与该旋转驱动机构相连接的旋转轴组成;旋转驱动机构设置在反应腔的外部,托盘安装在旋转轴的顶端,在旋转驱动机构的驱动下使旋转轴带动托盘绕其中心轴旋转;加热装置,设置在托盘的下方,且围绕旋转轴设置;其特征在于,所述的过温保护装置包含:信息采集装置,采集MOCVD设备的运行参数信息;信号转换装置,与所述的信息采集装置连接,对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换;实时控制器,与所述的信号转换装置连接,接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息,并检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件;连锁保护电路,与所述的实时控制器连接,当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时,该连锁保护电路被触发,启动应急保护措施;其中,所述的信息采集装置包含:至少一个热电偶,设置在反应腔内的加热装置上,用于探测并采集反应腔内部的位于托盘下方的温度信息,并转换成与温度信息相对应的电压信号输出;至少一个光学传感器,通过安装支架设置在反应腔外,且位于腔体盖板的上方,通过对应设置在其正下方的腔体盖板上的光学凹槽探测并采集反应腔内部的位于托盘上方的温度信息,并输出与温度信息相对应的光学信号;光电编码器,设置在旋转轴上,用于探测并采集旋转轴的旋转速度,并输出与旋转速度相对应的电信号;当旋转驱动机构驱动旋转轴进行匀速旋转时,光电编码器输出的是以相同周期连续重复的电信号。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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