[发明专利]芯片封装侧壁焊盘或凸点的制作工艺

摘要

本发明涉及一种芯片封装侧壁焊盘或凸点的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆上制作TSV孔，在TSV孔中制作绝缘层和种子层，再在TSV孔中填充金属形成TSV孔金属；（2）在晶圆上制作沟槽，露出TSV孔金属的侧面或侧面和底面，通过切割或背部减薄使芯片分离，得到侧壁带金属焊盘或凸点的单一芯片。所述TSV孔金属的高度为TSV孔深度的10%~90%。所述TSV孔金属露出的侧面或侧面和底面进行化镀工艺。在晶圆上制作TSV孔之前或之后还包括制作RDL走线槽（1）的步骤。本发明能够得到各种需求的焊垫或焊球，方便后续的贴装，并且避免了金属离子对硅材质的污染。

主权项

1.一种芯片封装侧壁焊盘或凸点的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆（102）上制作TSV孔（103），在TSV孔（103）中制作绝缘层和种子层，再在TSV孔（103）中填充金属形成TSV孔金属（106）；所述绝缘层（104） 的材质是氧化硅、氮化硅、氧化铝、碳化硅或者有机薄膜，绝缘层（104）的厚度为10nm~100µm；（2）在晶圆（102）上制作沟槽（107），露出TSV孔金属（106）的侧面或侧面和底面，通过切割或背部减薄使芯片分离，得到侧壁带金属焊盘或凸点的单一芯片。