[发明专利]集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610793478.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106129119A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;任文珍;张园园;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管；还公开了一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构的制作方法，通过本发明比传统的线性原胞设计的超结VDMOS体二极管正向压降更低，从而降低器件的开通损耗；本发明设计的超结VDMOS体二极管反向恢复电流峰值更小，使得体二极管的di/dt变小，从而减少器件的失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基 二极管 功率 vdmos 版图 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的超结功率VDMOS的版图结构，其特征在于，该版图结构包括N+衬底、N外延层以及在N外延层上形成的P+区域，所述P+区域由若干个矩形p‑pillar构成并且相邻两个矩形p‑pillar之间设置有间距，所述间距的区域内势垒金属Ti在p‑pillar之间的N外延层形成肖特基接触，构成肖特基二极管。
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