[发明专利]一种制备柔性显示器件的离子活化方法在审
| 申请号： | 201610785026.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106252214A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 方宏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/205;H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备柔性显示器件的离子活化方法，其包括以下步骤：S1，在柔性基板上沉积缓冲保护层；S2，沉积功能层，沉积介电层，脱氢；S3，使用准分子激光退火结晶出有源层，图案化处理，离子注入；S4，离子活化。本发明的离子活化在室温‑低温(＜450℃)下就可以进行，无需高温制程，即可做出CMOS结构的柔性显示器件；活化时间短，2～10min之内就可达到高温才能实现的活化效果，对产能的放大现实意义很大，产品极具竞争力；能通过镭射机台中的衰减器来调节不同的活化能量；发展了适合柔性生产的LTPS技术，降低柔性显示对基板的苛刻要求，基板的选择性更广，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 柔性 显示 器件 离子 活化 方法 | ||
【主权项】：
一种制备柔性显示器件的离子活化方法，其包括以下步骤：S1，将柔性基板装配在刚性基板上，在柔性基板上沉积缓冲保护层；S2，在缓冲保护层上沉积功能层，然后依次沉积介电层，再进行脱氢；S3，使用准分子激光退火结晶出有源层，然后对所述有源层进行图案化处理，再对图案化后的有源层进行离子注入；S4，离子注入后使用准分子激光退火进行离子活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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