[发明专利]一种微波GaN功率器件的建模方法无效
| 申请号： | 201610783857.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106354947A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 徐跃杭;闻彰;徐锐敏;延波 | 申请（专利权）人： | 徐跃杭;电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新西*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微波GaN功率器件的建模方法，所述建模方法包括建立GaN功率器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；根据实测的多偏置散射参数进行小信号模型参数优化；建立GaN功率器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数；以实测的多偏置散射参数和大信号特性参数为目标，调谐优化大信号模型参数；依据上述步骤对多批次GaN功率器件进行建模，获得工艺线的散射参数和大信号统计模型。本发明微波GaN功率器件的建模方法通过建立GaN功率器件小信号等效电路模型和GaN功率器件大信号等效电路模型，根据模型参数统计特性建立GaN工艺线的散射参数和大信号特性统计模型，从而实现对某一特定工艺线的小信号和大信号特性的准确建模，提高模型的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 gan 功率 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种微波GaN功率器件的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：步骤一：建立GaN功率器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：根据实测的多偏置散射参数进行小信号模型参数优化；步骤三：建立GaN功率器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，所述大信号模型参数包括非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤四：以器件的实测的多偏置散射参数和大信号特性参数为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤五：依据上述四个步骤对多批次GaN功率器件进行建模，获得工艺线的散射参数和大信号统计模型。
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