[发明专利]一种灯草的高产育苗方法在审

专利信息
申请号: 201610779579.5 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN106171500A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 黄德元 申请(专利权)人: 黄德元
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙) 34122 代理人: 叶丹
地址: 242200 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种灯草的高产育苗方法,包括S1、种子处理,选用灯草;将晒好的种子用清水浸泡20‑24小时,捞起浮在水面上的瘪粒,消毒后催芽;S2、育苗,选择地势平坦、背风向阳、土壤肥沃、排灌方便、杂草少、无病虫害、离大田较近的地方做秧田;整理苗床耕深8‑10厘米,将育苗培养土均匀洒入秧田中,亩施2000‑5000公斤,将土块弄碎整平,做到秧田平坦、土壤肥沃;播种育苗,a.第一段育苗采用旱育小苗培育;b.第二阶段采用旱育小苗寄栽。本发明所育的灯草出苗率高,出苗整齐,长势一致,从根本上实现了草苗的优生优育,显著地提高了草苗的素质。
搜索关键词: 一种 灯草 高产 育苗 方法
【主权项】:
一种灯草的高产育苗方法,其特征在于,其栽培技术如下:S1、种子处理(1)品种选择选用灯草;(2)晒种浸种催芽前选晴暖天气连续晒种2‑3天,并做到晒匀、晒透、勤翻动;(3)浸种晒好的种子用清水浸泡20‑24小时,捞起浮在水面上的瘪粒,捞起后把瘪粒单独放在一起浸种催芽;(4)消毒每4‑5千克水加10克强氯精,将用清水浸泡过的种子放强氯精药水中浸泡15‑20小时,浸泡温度为50‑60℃;用清水冲洗后准备催芽;(5)催芽先用50‑60℃温水淘种增温,用麻布袋包裹保温,谷堆温度控制在35‑40℃,超过40℃及时翻动降温,露白后适当淋水;露白后要立即把谷堆散开以通气散热,并用30‑35℃温水淋种、翻堆使温度均匀,但水分不要过多;齐根后把大堆改成小堆,厚堆摊薄,以利继续散热,使根芽生长整齐,然后准备播种;S2、育苗(1)秧田选择选择地势平坦、背风向阳、土壤肥沃、排灌方便、杂草少、无病虫害、离大田较近的地方做秧田;(2)整理苗床按重量份选取不重茬的肥沃园土30‑50份、农家肥50‑100份、蔗渣5‑10份、琼脂粉3‑5份、秸杆10‑20份、污泥10‑20份、发酵剂3‑5份,充分混合均匀,堆成堆腐熟发酵,待完全发酵后,得到有机基质;将有机基质与蛭石、珍珠岩、泥炭按3:1:1:2比例混合均匀后晒干或烘干,用粉碎机将干燥料粉碎成0.3‑0.8mm的颗粒,得到育苗培养土;耕深8‑10厘米,将上述育苗培养土均匀洒入秧田中,亩施2000‑5000公斤,将土块弄碎整平,做到秧田平坦、土壤肥沃;开沟做畦,畦宽1.3米,畦沟宽30厘米,高15‑20厘米;(3)播种育苗a.第一段育苗采用旱育小苗培育苗床上穴、行距控制在10‑15厘米之间,每穴移栽苗10‑15株,播种完毕后,用细碎的稻壳、麦芒伴细土覆盖畦面,以便保持土壤疏松,又能保持土壤湿润度;每公顷用乙氧氟草醚30克加乙草胺100克畦面喷雾,可防除整个生育期间田间杂草,浇透水后,用竹片做弓架、覆膜,将四周压实,膜内挂温度计;播后7‑10天,小苗一叶一心到二叶期时寄栽,寄栽前2天要揭膜炼苗;b.第二阶段采用旱育小苗寄栽在7月初就将田块选定,进行深耕细耙,翻犁深度≥20厘米,施足基肥,每亩施农家肥3000公斤以上,磷肥25公斤每亩,碳铵25公斤每亩,同时每亩施灯草专用除草剂0.5‑3公斤,寄栽前2‑3天将田耕整平,做到泥烂地平;按4厘米×5厘米的密度寄栽,寄秧一般秧根带泥,栽时以秧苗站稳为宜,栽后1‑2天,厢面不上水以促进扎根,活棵后灌浅水,缺水时以细流灌溉;第二阶段旱育小苗寄栽起至大田移栽时间内,每隔20天追施一次分蘖肥,施肥量控制在25公斤每亩,以氮肥为主。
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