[发明专利]面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路有效
| 申请号： | 201610777409.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106354692B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈义强;雷登云;恩云飞;方文啸;郝立超;黄云;侯波;陆裕东 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G06F15/78 | 分类号： | G06F15/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈金普 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路，控制电路模块将Q1、Q0信号转化为开关状态控制信号输出至TDDB性能退化数字转化模块；TDDB性能退化数字转化模块内的第一MOS管电路的MOS管处于电源电压的应力状态下，第二MOS管电路的MOS管处于非应力状态下；第一MOS管电路和第二MOS管电路在开关状态控制信号的控制下，分别输出第一频率值和第二频率值至输出选择模块；输出选择模块将TDDB性能退化数字转化模块输出的第一频率值输出至计数器B中进行记录，或者将第二频率值输出至计数器A中进行记录；计数器模块通过比较第一频率值与第二频率值确定TDDB性能的退化量。本发明的结构简单，输出可监测TDDB性能退化过程，能够对TDDB性能进行准确预警。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 soc tddb 退化 监测 失效 预警 电路 | ||
【主权项】：
1.一种面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路，其特征在于，包括：时序逻辑模块(100)、控制电路模块(200)、TDDB性能退化数字转化模块(300)、输出选择模块(400)、计数器模块(500)；其中，所述计数器模块(500)包括计数器A和计数器B；所述TDDB性能退化数字转化模块(300)包括两组相同MOS管电路，第一MOS管电路和第二MOS管电路；所述时序逻辑模块(100)包括X、Y、CP信号输入端和Q1、Q0输出端，在输入的X信号、Y信号、CP信号的控制下，输出高低电平的Q1、Q0信号至控制电路模块(200)；所述控制电路模块(200)将所述Q1、Q0信号转化为开关状态控制信号输出至TDDB性能退化数字转化模块(300)；所述TDDB性能退化数字转化模块(300)内的第一MOS管电路的MOS管处于电源电压的应力状态下，第二MOS管电路的MOS管处于非应力状态下；第一MOS管电路和第二MOS管电路在所述开关状态控制信号的控制下，分别输出第一频率值和第二频率值至输出选择模块(400)；所述输出选择模块(400)将TDDB性能退化数字转化模块(300)输出的第一频率值输出至计数器B中进行记录，或者将第二频率值输出至计数器A中进行记录；所述计数器模块(500)通过比较第一频率值与第二频率值确定TDDB性能的退化量。
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