[发明专利]一种原位自生长的超低反射率材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610767489.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106382757A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 冯守华;王兴利;吴小峰;黄科科;袁龙;付蓉 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | F24J2/48 | 分类号： | F24J2/48;G02B5/08;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 刘世纯,王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种铜金属基原位自生长的CuO纳米线阵列超低反射率材料及其制备方法，属于超低反射率材料制备技术领域。首先对Cu金属基片(基片厚度0.2～20mm)的上、下表面用酒精棉擦拭8～20次使表面光滑和洁净；再将上述Cu金属基片在空气气氛中，以0.01～5℃/分钟的升温速度加热至410～490℃，反应2h～7d，然后以0.1～5℃/分钟的降温速度降至室温，从而得到Cu金属基原位自生长的CuO纳米线阵列超低反射率材料。原料铜基底不需抛光，前处理方便。制备过程简单，一步合成，无污染，原料简单，成本低，阵列参数可调，易获得超低反射率。该材料能有效提高太阳能集热管的吸光效率，增强光学仪器的精密度。对能源与光学领域的发展有着重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 反射率 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原位自生长的超低反射率材料，其特征在于：从底部往外分别是紧贴于Cu金属基片的Cu2O层、CuO层和CuO纳米线阵列结构层；纳米线阵列结构层的厚度为5.2μm～40.3μm，直径分布在45～247nm，纳米线几乎垂直于Cu金属基片。
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