[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610764720.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785409A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈海;郑忠庆;王祝山 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了半导体器件及其制备方法。该器件包括器件区；划片支撑区，所述划片支撑区环绕所述器件区设置，并且所述划片支撑区沿着远离器件区的方向向下延伸与所述器件区的底部构成凹槽；以及金属层，所述金属层覆盖所述凹槽。该半导体器件避免了对器件背面进行整体减薄处理，使不影响器件功能的划片支撑区保持一定的厚度，从而可以增强整体器件的机械强度，避免硅晶片发生卷曲、破损等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：器件区；划片支撑区，所述划片支撑区环绕所述器件区设置，并且所述划片支撑区沿着远离器件区的方向向下延伸与所述器件区的底部构成凹槽；以及金属层，所述金属层覆盖所述凹槽。
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