[发明专利]一种硼酸镁晶须的表面改性方法有效
申请号: | 201610762130.8 | 申请日: | 2016-08-30 |
公开(公告)号: | CN106400486B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 朱东海;乃学瑛;边绍菊;刘鑫;董亚萍;李武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院青海盐湖研究所 |
主分类号: | D06M14/18 | 分类号: | D06M14/18;C08K9/10;C08K7/08 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 810008*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明公开了一种硼酸镁晶须的表面改性方法,包括步骤:A、将硼酸镁晶须置于等离子设备中,并进行抽真空;B、将非聚合性气体通入等离子设备中,调节等离子设备至第一气压和第一放电功率,使非聚合性气体在电场作用下放电产生第一等离子,第一等离子与硼酸镁晶须的表面作用,硼酸镁晶须的表面产生活性基团;C、停止引入非聚合性气体,同时将聚合性单体引入等离子设备中,调节等离子设备至第二气压和第二放电功率,使聚合性单体在电场作用下放电产生第二等离子,第二等离子与活性基团反应,获得改性硼酸镁晶须。根据本发明的硼酸镁晶须的表面改性方法通过化学键在硼酸镁晶须的表面上包覆有机包覆膜,结构更加稳定;同时,该表面改性耗时更短。 | ||
搜索关键词: | 硼酸镁晶须 等离子设备 表面改性 等离子 非聚合性气体 聚合性单体 电场作用 放电功率 活性基团 气压 下放 化学键 有机包覆膜 表面作用 抽真空 引入 包覆 改性 耗时 | ||
【主权项】:
1.一种硼酸镁晶须的表面改性方法,其特征在于,包括步骤:A、将硼酸镁晶须置于等离子设备中,并将所述等离子设备进行抽真空;B、将非聚合性气体引入所述等离子设备中,调节所述等离子设备至第一气压和第一放电功率,使所述非聚合性气体在电场作用下放电产生第一等离子体,所述第一等离子体与所述硼酸镁晶须的表面作用,所述硼酸镁晶须的表面产生活性基团;C、停止引入所述非聚合性气体,同时将聚合性单体引入所述等离子设备中,调节所述等离子设备至第二气压和第二放电功率,使所述聚合性单体在电场作用下放电产生第二等离子体,所述第二等离子体与所述活性基团反应,获得改性硼酸镁晶须。
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