[发明专利]CMOS存储器单元无导线隐形供电方法在审
| 申请号： | 201610760187.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298738A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李煜文;聂琦;叶菲;陈效军 | 申请（专利权）人： | 绍兴嘉恒创能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L27/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312352 浙江省绍兴市上*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS SRAM电路的设计和布图方法，提出CMOS存储器单元无导线隐形供电方法，对阵列内的单元利用N井对PMOS供电从而达到节省布线节省面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 存储器 单元 导线 隐形 供电 方法 | ||
【主权项】：
CMOS存储器单元无导线隐形供电方法其特征在于，对阵列内的单元利用N 井对 PMOS 供电 以节省金属布线，提高面积利用率。
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