[发明专利]一种集成电路测试结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610757309.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106340466B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张为凤 | 申请（专利权）人： | 深圳天通信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路测试结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底的上表面上的分立的多个半导体器件；设置于所述多个半导体器件之间的、位于所述衬底内的多个沟槽，每个所述多个沟槽横截面呈U型，具有俯视呈矩形的开口、邻近所述多个半导体器件的相对的两个侧面和位于沟槽底部的底面；设置在所述侧面上的相对的两个电极板层；填充在所述多个沟槽并位于所述电极板层上的沟槽隔离材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路测试结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底的上表面上的分立的多个半导体器件；设置于所述多个半导体器件之间的、位于所述衬底内的多个沟槽，每个所述多个沟槽横截面呈U型，具有俯视呈矩形的开口、邻近所述多个半导体器件的相对的两个侧面和位于沟槽底部的底面；设置在所述侧面上的相对的两个电极板层；填充在所述多个沟槽并位于所述电极板层上的沟槽隔离材料；还包括位于电极板层和沟槽隔离材料之间的氮化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳天通信息科技有限公司，未经深圳天通信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610757309.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：从马鞭草中提取马鞭草精油的方法
- 下一篇：一种海藻酸铜的应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
