[发明专利]一种零序互感器磁芯退火晶化工艺在审
| 申请号： | 201610749772.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106158344A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 唐书辉 | 申请（专利权）人： | 贵州鑫湄纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C21D1/26;C21D9/00 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 石文义 |
| 地址： | 564100 贵州省遵义市湄*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种零序互感器磁芯退火晶化工艺，其具体步骤为：采用横磁炉进行退火晶化处理，利用磁场方向改变材料原子结构，从而达到抗直流目的；首先将所需规格的铁基纳米晶磁芯套装于横磁炉内的钢条或者钢管上，沿磁场横向方向放置，晶化过程中，由于横向电流的作用，磁畴沿横向转动运行，经过3～5小时的晶化和加磁处理，铁基纳米晶磁芯内部原子结构发生根本改变，从而达到软磁材料在单位面积的极小损耗特性。本发明采用铁基纳米晶为材料，通过特殊工艺处理，即能实现1个铁基纳米晶磁芯就能替代原1个坡莫合金磁芯和1个锰锌铁氧体磁芯的效果。本发明铁基纳米晶磁芯不仅成本低廉、磁导率非常好,而且产品一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互感器 退火 化工 | ||
【主权项】：
一种零序互感器磁芯退火晶化工艺，其特征在于：该退火晶化工艺的具体步骤为：采用横磁炉进行退火晶化处理，利用磁场方向改变材料原子结构，从而达到抗直流目的；首先将所需规格的铁基纳米晶磁芯套装于横磁炉内的钢条或者钢管上，沿磁场横向方向放置，晶化过程中，由于横向电流的作用，磁畴沿横向转动运行，经过3～5小时的晶化和加磁处理，铁基纳米晶磁芯内部原子结构发生根本改变，从而达到软磁材料在单位面积的极小损耗特性。
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