[发明专利]一种片式NTCR及其制备方法有效
申请号: | 201610735868.5 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106384635B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 庞锦标;韩玉成;居奎;何创创;班秀峰;姜敬辉;杨俊 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C17/00 | 分类号: | H01C17/00;H01C17/28;H01C7/04;H01C1/14 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 550000 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明提供了一种片式NTCR及其制备方法,本发明方法中,通过对成型工艺、表面处理工艺、电极形成方式的选择和调整,从而制备得到了一种具有高精度以及高可靠性的片式NTCR,从而解决了现有技术NTCR的精度和可靠性无法满足实际使用需要等的技术问题。同时,本发明方法所制得的片式NTCR具有精度高、可靠性好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 ntcr 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种片式NTCR的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)取过渡金属氧化物,并混合球磨;(2)将球磨后的混合物保温干燥后过筛,并进行预烧;(3)向预烧后的混合物中加入有机溶剂以及粘合剂,并制得流延料;然后,将流延料经流延成型制得NTC生瓷带,并进一步叠层、等静压和切割得到NTC巴块,再将NTC巴块烧结后,得到NTC陶瓷;将NTC陶瓷减薄和抛光处理,然后清洗,得到NTC陶瓷基板;(4)在NTC陶瓷基板上溅射TiW合金以及Au,然后再电镀Au加厚电极,并切割,即得到片式NTCR;所述TiW合金中,Ti、W的比例为(20~30):(70~80);其中,所述过渡金属氧化物为Mn、Co、Ni以及Cu的氧化物中几种的混合过渡金属氧化物。
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