[发明专利]一种清除冷中子源系统中氢气杂质的装置和方法有效
| 申请号： | 201610735355.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106365133B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 兰晓华;薛志彦;刘聪;游庆明;刘显坤;张百甫;唐彬 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | C01B23/00 | 分类号： | C01B23/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心51210 | 代理人： | 翟长明,韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清除冷中子源系统中氢气杂质的装置和方法，该装置利用冷中子源系统中的高压氦气管道和低压氦气管道之间的氦气高低压差，通过吸附装置去除冷中子源系统中的氢气杂质，吸附装置的吸附力强、再生便捷，吸附的氢气杂质被集中排放到冷中子源系统外，不易污染冷中子源系统中的工艺气体，能有效避免冷中子源系统中的氢杂质聚集在系统低温区而导致结构材料发生氢脆失效的不良后果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清除 中子源 系统 氢气 杂质 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种清除冷中子源系统中氢气杂质的装置，其特征在于，所述的装置包括导出阀（1）、吸附罐（2）、返回阀（3）、排压阀（4）、真空阀（5）、真空泵（6）、高压氦气管道（7）和低压氦气管道（8），部件之间通过管路连接；所述的吸附罐（2）通过导出阀（1）与高压氦气管道（7）连接，吸附罐（2）通过返回阀（3）与低压氦气管道（8）连接，所述的吸附罐（2）上通过真空阀（5）与真空泵（6）连接，所述的吸附罐（2）和真空阀（5）之间连接有排压阀（4）作为旁路；所述的吸附罐（2）的外层为保温层，中间层为液氮层，内腔放置有活性炭，层间密封；所述的吸附罐（2）、导出阀（1）与高压氦气管道（7）之间的管路为不锈钢耐高压波纹管，所述的吸附罐（2）、返回阀（3）与低压氦气管道（8）之间的管路为不锈钢耐高压波纹管，所述的吸附罐（2）、排压阀（4）、真空阀（5）之间的管路为不锈钢管，所述的真空阀（5）和真空泵（6）之间的管路为真空波纹管；所述的吸附罐（2）的液氮层中的液氮存量大于等于15L。
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