[发明专利]用于改善阶梯覆盖的通孔结构在审
| 申请号： | 201610728319.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486421A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 方立言;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、介电结构、阻挡层、胶层、铜晶种层和铜层。介电结构设置在衬底上方。介电结构具有穿过介电结构的导通孔，并且导通孔的侧壁包括至少一个凹口。阻挡层共形地覆盖导通孔的侧壁和底部。胶层共形地覆盖阻挡层。铜晶种层共形地覆盖胶层。铜层覆盖铜晶种层并填充导通孔。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 阶梯 覆盖 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；介电结构，设置在所述衬底上方，所述介电结构具有穿过所述介电结构的导通孔，并且所述导通孔的侧壁包括至少一个凹口；阻挡层，共形地覆盖所述导通孔的侧壁和底部；胶层，共形地覆盖所述阻挡层；铜晶种层，共形地覆盖所述胶层；以及铜层，覆盖所述铜晶种层并且填充所述导通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
