[发明专利]包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型在审
| 申请号： | 201610700103.8 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106202835A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄风义;姜楠;张有明;唐旭升 | 申请（专利权）人： | 南京展芯通讯科技有限公司;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211111 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管小信号等效电路模型，其特征在于，所述场效应晶体管小信号等效电路模型的本征部分包含沟道高级寄生元件，所述沟道高级寄生元件包括本征电阻、本征电容、本征电感这三种元件中的任意一种或者组合，从而实现在高频、大电流下，对晶体管的高精度仿真，本发明进一步公开了包含沟道高级寄生元件的特征函数，以及利用测量的S参数提取所述沟道高级寄生元件参数值的方法。本发明提出的包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型可以提高仿真同测试结果的拟合精度。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 沟道 高级 寄生 元件 场效应 晶体管 信号 等效电路 模型 | ||
【主权项】：
一种包含沟道高级寄生元件的场效应晶体管小信号等效电路模型，所述模型本征部分包含沟道电阻Rds及沟道电容Cds，其特征在于，所述场效应晶体管小信号等效电路模型的本征部分包含沟道高级寄生元件，所述沟道高级寄生元件包括本征电阻R1、本征电容C1、本征电感L1这三种元件中的任意一种或者组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京展芯通讯科技有限公司;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司，未经南京展芯通讯科技有限公司;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610700103.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
