[发明专利]存储器装置的形成方法有效
| 申请号： | 201610682869.8 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107768515B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 林家鸿;林立伟;曾逸贤;蔡宗寰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦;郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器装置的形成方法，包含形成多个存储器单元，对该些存储器单元实施第一烘烤，设定规定电流，在实施第一烘烤之后，对该些存储器单元实施检验程序，其中检验程序包含读取存储器单元的电流，其中当存储器单元的读取电流大于或等于规定电流，则完成存储器单元的检验程序，或者当存储器单元的读取电流小于规定电流，对该些存储器单元实施再形成工艺，形成多个再形成的存储器单元，并对该些再形成的存储器单元实施检验程序。本发明通过于存储器单元的形成方法中加入第一烘烤工艺、检验程序及再形成工艺，可提前筛选出脆弱或是残留的存储器单元，可明显改善设定电流不容易与重置电流区分，亦即对于数据储存状态较不易判读的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的形成方法，其特征在于，包括：形成多个存储器单元；对该些存储器单元实施一第一烘烤；设定一规定电流；以及在实施该第一烘烤之后，对该些存储器单元实施一检验程序，其中该检验程序包括:读取该存储器单元的电流，其中当该存储器单元的读取电流大于或等于该规定电流，则完成该些存储器单元的该检验程序，或者当该存储器单元的读取电流小于该规定电流，对该些存储器单元实施一再形成工艺，形成多个再形成的存储器单元，并对该些再形成的存储器单元实施该检验程序。
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