[发明专利]封装结构及其形成方法有效

申请号：	201610677405.8	申请日：	2016-08-17
公开（公告）号：	CN106548947B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	余振华;陈志华;蔡豪益;陈玉芬	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明描述了封装结构和形成封装结构的方法。一种方法包括在第一衬底的凹部中放置第一封装件。第一封装件包括第一管芯。该方法还包括将第一传感器附接至第一封装件和第一衬底。第一传感器电耦合至第一封装件和第一衬底。
搜索关键词：	封装结构及其形成方法
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【主权项】：

1.一种用于形成封装结构的方法，包括：/n将第一封装件放置在第一衬底的凹部内，所述第一封装件具有包括第一管芯的至少两个管芯；以及/n在所述至少两个管芯中的每个上分别附接有各自的传感器，其中第一传感器附接至所述第一封装件和所述第一衬底，/n其中，所述各自的传感器一起覆盖的包括所述凹部的第一衬底的总表面积，大于所述至少两个管芯一起覆盖所述凹部的总表面积，/n其中，所述第一传感器包括直接位于所述第一衬底的所述凹部上方的第一部分以及直接位于所述第一衬底的所述凹部之外的部分上方的第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别电耦合至所述第一封装件和所述第一衬底。/n

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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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