[发明专利]MLC STT-MRAM数据写入方法及装置、数据读取方法及装置有效
| 申请号： | 201610677385.4 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106328184B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王涛;郭婷;董海涛;牛林;马志广;王玉莹;崔梅英;何登森;吕强;林桂华;韩冬 | 申请（专利权）人： | 国网技术学院 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 赵妍 |
| 地址： | 250002 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MLC STT‑MRAM数据写入方法及装置、数据读取方法及装置，其中，MLC STT‑MRAM数据写入方法，包括将新数据从缓存器传输至MLC STT‑MRAM的写队列中等待写入；通过比较新旧数据，获得写入MLC STT‑MRAM时的每种数据状态改变单元格硬区域磁化状态的数量以及相应的映射类型；筛选出需要改变MLC STT‑MRAM硬区域磁化状态数量最少的映射类型为重映射方式，并利用重映射方式对新数据进行数值重映射；根据相应写策略，将重映射后得到的数据和映射类型一起写入MLC STT‑MRAM中。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 映射类型 重映射 磁化状态 数据读取 新数据 硬区域 改变单元 数据状态 映射方式 缓存器 旧数据 写队列 筛选 传输 | ||
【主权项】：
1.一种MLC STT‑MRAM数据写入方法，其特征在于，包括：步骤a：将新数据从缓存器传输至MLC STT‑MRAM的写队列中等待写入；步骤b：通过比较新旧数据，获得写入MLC STT‑MRAM时的每种数据状态改变单元格硬区域磁化状态的数量与未改变硬区域磁化状态的数量，进而得到相应的映射类型；步骤c：筛选出需要改变MLC STT‑MRAM硬区域磁化状态数量最少的映射类型为重映射方式，并利用重映射方式对新数据进行数值重映射；步骤d：根据相应写策略，将重映射后得到的数据和映射类型一起写入MLC STT‑MRAM中；所述步骤b中获得写入MLC STT‑MRAM时的每种数据状态改变单元格硬区域磁化状态的数量，需要获得八个数值，分别是写入新数据的数据状态‘00’、‘01’、‘10’和‘11’时改变的硬区域磁化状态的数量。
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