[发明专利]磁控溅射方法以及磁控溅射装置在审
| 申请号： | 201610664192.5 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107723673A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 姚艳双;张鹤南;董博宇;郭冰亮;张军;武学伟;徐宝岗;崔亚欣;马怀超;刘绍辉;王军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平,杨国权 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控溅射方法以及磁控溅射装置。该方法包括步骤1将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2将基座移动到加热位置，对待加工件进行加热，当待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3检测工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4将基座移动到工艺位置，对待加工件进行磁控溅射。本发明提供的磁控溅射方法，可以对待加工件的温度以及溅射环境的压升率进行检测，以保证达到预定的磁控溅射条件，大大提高了溅射产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射方法，其特征在于，包括：步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；步骤2：将所述基座移动到加热位置，对所述待加工件进行加热，当所述待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；步骤3：检测所述工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；步骤4：将所述基座移动到工艺位置，对所述待加工件进行磁控溅射。
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