[发明专利]一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610654669.1 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106315522B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;杨杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;H01G11/30;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/86 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;李学红 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料及其制备方法。NiSe纳米片堆积并纵横交错形成互相连通的三维立体孔状结构，纳米片厚度不超过10nm，100~300nm大孔与10~100nm小孔均匀交错分布。NiSe三维多孔纳米片材料在1A g‑1电流密度下的比电容值1565 F g‑1。NiSe三维多孔纳米片材料采用一步水热法合成，以泡沫镍为基底，六水合氯化镍、亚硒酸钠、水合肼和去离子水混合得到前驱体溶液，置于反应釜中140~180℃反应8~24h，即得到产物。本制备方法简单易行，所得的NiSe三维多孔纳米片材料具有优异的电化学性能，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超级 电容器 nise 三维 多孔 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于超级电容器的NiSe三维多孔纳米片材料，其特征在于：所述NiSe三维多孔纳米片材料由纳米片堆积并纵横交错形成互相连通的三维立体孔状结构，且大孔小孔均匀交错分布，纳米片厚度不超过10nm，大孔孔径100~300nm，小孔孔径10~100nm。
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