[发明专利]一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法有效
申请号: | 201610649477.1 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN106098808B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 李涛;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极,该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极,底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相,结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能,在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆,依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极,低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极,替代贵金属银电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 金属 正面 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳电池贱金属正面电极制备方法,其特征在于:采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相,结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能,在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆,依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极,低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极,替代贵金属银电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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