[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610630885.2 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107689330B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 赵海;毛刚;王青鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有条状鳍片；图案化所述条状鳍片，以在所述条状鳍片中形成凹槽，所述凹槽将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；沉积隔离材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述鳍片结构；在位于所述凹槽上方的所述隔离材料层上形成衬垫层，以覆盖所述凹槽上方的所述隔离材料层；回蚀刻所述衬垫层两侧的所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片结构；在所述鳍片结构上形成栅极结构，同时在所述衬垫层上形成虚拟栅极结构。所述方法避免了所述虚拟栅极和栅极结构深度不一致的问题，通过所述改进使器件性能和良率进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有条状鳍片；图案化所述条状鳍片，以在所述条状鳍片中形成凹槽，所述凹槽将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构；沉积隔离材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述鳍片结构；在位于所述凹槽上方的所述隔离材料层上形成衬垫层，以覆盖所述凹槽上方的所述隔离材料层；回蚀刻所述衬垫层两侧的所述隔离材料层，以露出部分所述鳍片结构；在所述鳍片结构上形成栅极结构，同时在所述衬垫层上形成虚拟栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
