[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610630458.4 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107689329B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过富氮低K介质层和富氧低K介质层交替堆叠形成复合侧墙，能够在减小栅电极和后续形成的源区和漏区导电插塞之间的寄生电容的同时，通过内层的富氮低K介质层来阻挡氧向后续形成的高K金属栅极中的扩散，从而提高晶体管性能；进一步地，通过外侧的富氮低K介质层来提高嵌入式源区和漏区形成过程中的选择比，从而避免后续形成源极和漏极的电阻以及接触电阻增大，进一步提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的鳍部；覆盖部分所述鳍部表面的栅极结构；位于所述栅极结构的侧壁的复合侧墙，所述复合侧墙由富氮低K介质层和富氧低K介质层沿所述栅极结构的侧壁向外交替堆叠而成，且紧贴所述栅极结构的侧壁的是一层所述富氮低K介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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