[发明专利]静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法有效
| 申请号： | 201610623938.8 | 申请日： | 2016-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107025931B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑泰强;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法。其中，静态随机存取存储器阵列包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元。可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元设置于静态随机存取存储器阵列的第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括第一读取下拉晶体管以及第一读取通道闸晶体管。第一读取下拉晶体管包括第一栅极、第一源极/漏极以及第二源极/漏极。第一读取通道闸晶体管包括第三源极/漏极以及第四源极/漏极。读取追踪位元线电性连接至读取感测放大器时序控制电路。本发明可提高静态随机存取存储器的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 阵列 追踪 单元 以及 配置 方法 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器阵列，其特征在于，包括：一可写入静态随机存取存储器单元，设置于上述静态随机存取存储器阵列的一第一列中；以及一静态随机存取存储器读取电流追踪单元，设置于上述静态随机存取存储器阵列的上述第一列中，其中上述静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括：一第一读取下拉晶体管，包括：一第一栅极，电性连接至一第一正电源电压线；一第一源极/漏极，电性连接至一第一接地电压线；以及一第二源极/漏极；以及一第一读取通道闸晶体管，包括：一第三源极/漏极，电性连接至上述第二源极/漏极；以及一第四源极/漏极，电性连接至一读取追踪位元线，其中上述读取追踪位元线电性连接至一读取感测放大器时序控制电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610623938.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
