[发明专利]超导回旋加速器内部离子源中心区内真空度提高方法有效
| 申请号： | 201610616123.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106231776B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张天爵;张素平;潘高峰;崔涛;王川;尹蒙 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00;H05H7/08;H05H7/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超导回旋加速器内部离子源中心区内真空度提高方法，将超导回旋加速器离子源注入装置(1)注入孔与超导回旋加速器内部芯柱(2)的中心孔(7)对应设置；在芯柱(2)侧面开设芯柱侧面孔(6)，该芯柱侧面孔(6)与中心孔(7)相连通，在超导回旋加速器的高频腔体(4)内开设真空排气通道，该真空排气通道与芯柱侧面孔(6)相连通。采用本发明的超导回旋加速器内部离子源中心区内真空度提高方法，通过在超导回旋加速器内部设置一个或多个排气通道，将离子源中心区内的气体通过一个或多个通道排出，从而提高了超导回旋加速器内部离子源中心区真空度，解决了超导回旋加速器内部离子源中心区内真空度偏低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 回旋加速器 内部 离子源 中心 区内 真空 提高 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超导回旋加速器内部离子源中心区内真空度提高方法，其特征是：将超导回旋加速器离子源注入装置(1)注入孔与超导回旋加速器内部芯柱(2)的中心孔(7)对应设置，在超导回旋加速器中心区平面(3)和芯柱(2)的中心孔(7)之间形成第一排气通道(8)，第一排气通道(8)通过超导回旋加速器内部的抽真空装置将中心区平面(3)内的气体排出；在芯柱(2)侧面开设芯柱侧面孔(6)，该芯柱侧面孔(6)与中心孔(7)相连通，在超导回旋加速器的高频腔体(4)内开设真空排气孔，该真空排气孔与芯柱侧面孔(6)相连通，中心区平面(3)、中心孔(7)、芯柱侧面孔(6)及真空排气孔形成第二排气通道(5)，第二排气通道(5)通过超导回旋加速器内部设置的抽真空装置将中心区平面(3)内的气体排出。
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