[发明专利]一种基于电磁频谱水印的IP核保护方法

摘要

本发明公开了一种基于电磁频谱水印的IP核保护方法，首先，获得待保护的IP电路的电磁辐射信息，并利用傅里叶变换将时域信息转换到频域信息，得出信号的频谱分量及其对应的能量；然后，通过分析确定植入水印电路的运行频率，对IP电路植入由奇数个反相器级联构成的环形振荡器作为水印电路，获得植入有环形振荡器的IP电路在运行过程中释放出的电磁辐射信息形成“电磁水印”，傅里叶变换后获得的参考频谱作为该IP电路的指纹信息。利用本发明方法能够有效地对自主设计IP核进行保护，同时能够将对原始IP核的影响降低到最小，在IP核被非法使用时，能够为IP版权的鉴定提供依据。

主权项

1.一种基于电磁频谱水印的IP核保护方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、将待保护的IP核下载到现场可编程门阵列当中，形成IP核电路，施加特定的测试向量，让该IP核电路运行；使用电磁探头收集该IP核电路在运行过程中释放出的电磁辐射信息，并利用傅里叶变换将时域信息转换到频域信息，得出信号的频谱分量及其对应的能量；步骤2、对步骤1得到的频谱找出其幅值最大的10个至20个频点按照频率从大到小依次排列，依次计算相邻两个频点的频率差值，选择其中频率差值最小的两个频点之间的频率范围作为植入水印电路的运行频率；步骤3、对IP核电路植入水印电路，所述水印电路的振荡频率等于步骤2所确定的植入水印电路的运行频率，其中，所述水印电路是由奇数个反相器级联构成的环形振荡器，每个反相器由一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管构成，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的栅极连在一起作为输入，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的漏极连在一起作为输出；步骤4、对于植入了环形振荡器的IP核电路下载到现场可编程门阵列当中，施加与步骤1中相同的特定的测试向量，使植入有环形振荡器的IP核电路运行，使用电磁探头收集该植入有环形振荡器的IP核电路在运行过程中释放出的电磁辐射信息，并利用傅里叶变换将时域信息转换到频域信息，所得出的信号的频谱分量及其对应的能量为参考频谱，以该参考频谱作为所述IP核电路的指纹信息。