[发明专利]用于GOA电路的薄膜晶体管结构和GOA电路在审
| 申请号： | 201610589464.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106129115A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林建宏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于GOA电路的薄膜晶体管结构和GOA电路。该用于GOA电路的薄膜晶体管结构包括：该薄膜晶体管的漏极或源极仅其中之一为LDD结构，与该具有LDD结构的漏极或源极相对应的源极或漏极在该GOA电路中一直处于低位准。该GOA电路包括第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管的漏极或源极仅其中之一为LDD结构，与该具有LDD结构的漏极或源极相对应的源极或漏极在该GOA电路中一直处于低位准。本发明用于GOA电路的薄膜晶体管结构和GOA电路可提升开电流，并且兼顾减缓TFT元件劣化及低关电流特性，本发明可增加TFT元件在电路内拉低电位的效率，或可降低TFT元件的设计尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 goa 电路 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种用于GOA电路的薄膜晶体管结构，其特征在于，该薄膜晶体管的漏极或源极仅其中之一为LDD结构，与该具有LDD结构的漏极或源极相对应的源极或漏极在该GOA电路中一直处于低位准。
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