[发明专利]一种复制位线控制电路有效

专利信息
申请号: 201610585441.1 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN106205678B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 汪鹏君;周可基;张会红;龚道辉 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: G11C11/418 分类号: G11C11/418;G11C7/12
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种复制位线控制电路,包括复制单元、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第九反相器、第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一或非门、第二或非门和第一PMOS管,第二或非门具有第一输入端、第二输入端、置位端和输出端;优点是确保字线控制信号在灵敏放大器使能信号有效后及时关断,减少存储阵列位线对不必要放电造成的开关功耗,并且对片选信号进行分解,生成读时钟控制信号取代复制字线信号控制对复制位线的充电,阻断复制位线与复制字线信号引起的反馈振荡,得到精准的字线控制信号,实验证明,在1.2V电源电压下,存储阵列的开关功耗可以节省53.7%。
搜索关键词: 一种 复制 控制电路
【主权项】:
1.一种复制位线控制电路,其特征在于包括复制单元、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第九反相器、第一与非门、第二与非门、第三与非门、第一或非门、第二或非门和第一PMOS管;所述的第一与非门、所述的第二与非门、所述的第三与非门和所述的第一或非门分别具有第一输入端、第二输入端和输出端,所述的第二或非门具有第一输入端、第二输入端、置位端和输出端,所述的复制单元包括一个驱动单元和多个负载单元,所述的驱动单元具有输入输出端、互补输入输出端和控制端,所述的负载单元具有输入输出端和互补输入输出端,所述的驱动单元的输入输出端和多个所述的负载单元的输入输出端连接在一起且其连接线为所述的复制单元的复制位线,所述的驱动单元的互补输入输出端和多个所述的负载单元的互补输入输出端连接,所述的第一与非门的第一输入端为所述的复制位线控制电路的第一输入端,用于接入全局字线控制信号,所述的第二与非门的第一输入端和所述的第三与非门的第一输入端连接且其连接端为所述的复制位线控制电路的第二输入端,用于接入片选信号,所述的第二与非门的第二输入端和所述的第九反相器的输入端连接且其连接端为所述的复制位线控制电路的第三输入端,用于接入读写控制信号,所述的第二与非门的输出端和所述的第二或非门的第一输入端连接,所述的第九反相器的输出端和所述的第三与非门的第二输入端连接,所述的第三与非门的输出端、所述的第八反相器的输入端和所述的第一PMOS管的栅极连接,所述的第八反相器的输出端和所述的第一或非门的第一输入端连接,所述的第一或非门的输出端、所述的第二或非门的第二输入端和所述的驱动单元的控制端连接,所述的第二或非门的置位端、所述的第一PMOS管的漏极、所述的第一反相器的输入端和所述的复制单元的复制位线连接,所述的第一PMOS管的源极接入电源,所述的第二或非门的输出端和所述的第六反相器的输入端连接,所述的第六反相器的输出端和所述的第一与非门的第二输入端连接,所述的第一与非门的输出端和所述的第七反相器的输入端连接,所述的第七反相器的输出端为所述的复制位线控制电路的第一输出端,输出字线控制信号,所述的第一反相器的输出端、所述的第二反相器的输入端和所述的第一或非门的第二输入端连接,所述的第二反相器的输出端和所述的第三反相器的输入端连接,所述的第三反相器的输出端和所述的第四反相器的输入端连接,所述的第四反相器的输出端和所述的第五反相器的输入端连接,所述的第五反相器的输出端为所述的复制位线控制电路的第二输出端,用于输出灵敏放大器使能信号;所述的第二或非门包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,所述的第二PMOS管的源极和所述的第四PMOS管的源极均接入电源,所述的第二PMOS管的漏极和所述的第三PMOS管的源极连接,所述的第二PMOS管的栅极和所述的第二NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的第二或非门的第一输入端,所述的第三PMOS管的栅极和所述的第一NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的第二或非门的第二输入端,所述的第三PMOS管的漏极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第四PMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的第二或非门的输出端,所述的第一NMOS管的源极、所述的第三NMOS管的漏极和所述的第二NMOS管的源极连接,所述的第三NMOS管的栅极和所述的第四PMOS管的栅极连接且其连接端为所述的第二或非门的置位端,所述的第三NMOS管的源极接地。
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