[发明专利]半导体装置与其制造方法在审
| 申请号： | 201610581300.2 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107230723A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 薛清全;彭柏瑾;廖文甲;陈世鹏 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 周滨,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置包含基板、多个三五族氮化物半导体层、源极、栅极、漏极以及掺杂层。三五族氮化物半导体层置于基板上，且二维电子气通道形成于三五族氮化物半导体层中。源极、栅极与漏极置于三五族氮化物半导体层上。栅极位于源极与漏极之间，源极与漏极电性连接至二维电子气通道，且自源极至漏极定义一水平方向。掺杂层置于栅极与三五族氮化物半导体层之间。掺杂层包含多个掺杂物，且掺杂物的浓度沿着水平方向变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；多个三五族氮化物半导体层，置于该基板上，且一二维电子气通道形成于所述多个三五族氮化物半导体层中；一源极、一栅极与一漏极，置于所述多个三五族氮化物半导体层上，该栅极位于该源极与该漏极之间，该源极与该漏极电性连接至该二维电子气通道，且自该源极至该漏极定义一水平方向；以及一掺杂层，置于该栅极与所述多个三五族氮化物半导体层之间，其中该掺杂层包含多个掺杂物，且该掺杂物的浓度沿着该水平方向变化。
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