[发明专利]擦除非易失性存储器件的方法有效
| 申请号： | 201610576999.3 | 申请日： | 2011-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106297878B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 尹治元;蔡东赫;朴宰佑;南尚完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/16 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种擦除包括多个存储单元串的非易失性存储器件的方法，多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串。该方法包括：对第一存储单元串中包括的第一存储单元和第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作；在执行第一擦除操作之后对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种擦除非易失性存储器件的方法，该非易失性存储器件包括多个存储单元串，所述多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串，所述方法包括：/n对连接到第一串选择线的第一存储单元串中包括的第一存储单元和连接到第二串选择线的第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作，第一存储单元串和第二存储单元串中的每一个包括串联连接并且在与衬底基本垂直的方向上堆叠的多个非易失性存储单元；/n在对第一存储单元和第二存储单元执行第一擦除操作之后，对第一存储单元执行第一擦除验证操作；以及/n在对第一存储单元执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；/n其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且/n第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。/n
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