[发明专利]具有掺杂物的有机电子器件、掺杂物的应用和用于制造掺杂物的方法有效
申请号: | 201610576712.7 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN106046030B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·卡尼茨;雷娜特·克勒曼;贝内迪克特·亨德里克·桑德曼;冈特·施密德;扬·豪克·韦姆肯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | C07F1/00 | 分类号: | C07F1/00;C09K11/06;H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54;H05B33/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;丁永凡 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: |
提出一种有机电子器件,所述有机电子器件包括具有p型掺杂物的有机功能层,其中p型掺杂物包括铜络合物,其中铜络合物具有下式: |
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搜索关键词: | 具有 掺杂 有机 电子器件 应用 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机电子器件,包括:‑衬底(10),‑在所述衬底(10)上的第一电极(20),‑在所述第一电极(20)上的至少一个有机功能层(30),所述有机功能层包含基体材料,在所述基体材料中引入有p型掺杂物,以及‑在所述至少一个有机功能层(30)上的第二电极(90),‑其中所述p型掺杂物包括铜络合物,其中所述铜络合物具有下式:
并且其中所述至少一个有机功能层(30)是空穴传导的。
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