[发明专利]用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201610576522.5 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106024876B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;陈佳俊;张龙;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 消除 现象 逆导型 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型漂移区(3)，在N型漂移区(3)的两侧分别设有N型缓冲区阵列和P型体区(4)，在N型缓冲区阵列的各个N型缓冲区(12)内有重掺杂的P型集电极区(13)，在相邻重掺杂的P型集电极区(13)之间设有第一N型重掺杂区(14)，在P型体区(4)内设有P型阱区(5)，在P型阱区(5)设有重掺杂的P型发射极区(6)，在重掺杂的P型发射极区(6)的周边设有重掺杂的N型发射区(7)，其特征在于，在N型漂移区(3)内设有氧化层隔离沟槽(11)且氧化层隔离沟槽(11)始于N型漂移区(3)上表面并深及埋氧(2)，所述氧化层隔离沟槽(11)与所述器件的边界共同形成一N型漂移区(3)的局部封闭区，各第一N型重掺杂区(14)分别被氧化层隔离沟槽(11)包围且相邻的重掺杂的P型集电极区(13)与N型重掺杂区(14)被氧化层隔离沟槽(11)隔离，在相邻氧化层隔离沟槽(11)之间设有第二N型重掺杂区(8)，在第二N型重掺杂区(8)上设有金属电极(9)且所述金属电极(9)与第二N型重掺杂区(8)欧姆接触，在所述N型漂移区(3)的局部封闭区上设有金属电极(10)且所述金属电极(10)与N型漂移区(3)的局部封闭区形成肖特基接触，所述金属电极(9)与金属电极(10)连接。
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