[发明专利]存储器装置有效
| 申请号： | 201610575925.8 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107025938B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 桥本寿文 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式谋求存储器装置的可靠性提高。实施方式的存储器装置包含：半导体柱，在与衬底表面垂直的方向上延伸；第1存储器单元，包含设置在第1字线与半导体柱的侧面之间的第1存储器膜；第2存储器单元，包含设置在第2字线与半导体柱的侧面之间的第2存储器膜；及控制器，控制对第1及第2存储器单元的动作。在对第1存储器单元的读出动作中，在对第1字线施加读出电压(VCGR)、且对第2字线施加非选择电压(V2a)的第1动作之后，执行第2动作，所述第2动作是以使第2字线的电位(V2b)低于半导体柱的电位(V1b)的方式，对第2字线施加第1电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于具备：半导体柱，在与衬底表面垂直的方向上延伸；第1存储器单元，包含设置在第1字线与所述半导体柱的侧面之间的第1存储器膜；第2存储器单元，包含设置在第2字线与所述半导体柱的侧面之间的第2存储器膜；及控制器，控制对所述第1及第2存储器单元的动作；且在对所述第1存储器单元的读出动作中，在对所述第1字线施加读出电压、且对所述第2字线施加非选择电压的第1动作之后，执行第2动作，所述第2动作是以使所述第2字线的电位低于所述半导体柱的电位的方式，对所述第2字线施加第1电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610575925.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
