[发明专利]制程设备及化学气相沉积制程有效
| 申请号： | 201610574665.2 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107641796B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 洪世玮;张家睿;林剑锋;潘正扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制程设备及化学气相沉积制程。制程设备包含制程腔体、晶圆承托装置、至少一排气管路以及至少一排气通道。晶圆承托装置位于制程腔体中，晶圆承托装置具有晶圆承托位置，晶圆承托位置将制程腔体区分为位于晶圆承托位置上方的上腔体，以及位于晶圆承托位置下方的下腔体。排气通道连通下腔体与排气管路。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 化学 沉积 | ||
【主权项】：
一种制程设备，其特征在于，包含：一制程腔体；一晶圆承托装置，位于该制程腔体中，该晶圆承托装置具有一晶圆承托位置，该晶圆承托位置将该制程腔体区分为位于该晶圆承托位置上方的一上腔体，与位于该晶圆承托位置下方的一下腔体；至少一排气管路；以及至少一排气通道，连通该下腔体与该排气管路。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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