[发明专利]电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法在审
| 申请号： | 201610571751.8 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN105957902A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/94 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物；在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶；之后进行光刻过程，在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口；使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽；对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅；在重掺杂硅上生长第二硅氧化物；在第二硅氧化物之上、电容沟槽中，生长多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明所述的方法制作出来的电容结构，电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 数值 更大 深沟 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物(2)；步骤2、在第一硅氧化物(2)上表面覆盖一层光刻胶(21)；之后进行光刻过程，在光刻胶(21)上刻蚀出电容沟槽的开口；步骤3、使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽(51)；所述电容沟槽(51)由沟槽开口处到底部，横截面的面积越来越小；之后去除光刻胶；。步骤4、对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅(3)；步骤5、在重掺杂硅(3)上生长第二硅氧化物(4)；步骤6、在第二硅氧化物(4)之上、电容沟槽(51)中，生长多晶硅(5)。
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