[发明专利]一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610565701.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106057908B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;王伟豪;李辰旸;吕斌;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/227;H01L21/34 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、Ag纳米线层、ZnO纳米晶层和Al电极。其制备方法如下：先采用浸渍提拉镀膜技术在Si/SiO2上制备Ag纳米线，再在Ag纳米线上旋涂ZnO纳米晶的分散相，退火后镀上Al电极完成该器件的制作。该器件退火后Ag纳米线中部分Ag扩散进入ZnO中取代Zn的晶格位置，使ZnO转变为p型导电，形成p型TFTs器件；同时该器件对365nm的紫外光具有响应。因此，该TFT不仅可以通过栅压调控，还可通过紫外光控制其开关。本发明在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag 纳米 zno 复合 沟道 多功能 光电 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是依次包括低阻Si（1）、SiO2绝缘层（2）、Ag纳米线层（3）、ZnO纳米晶层（4）和Al电极（5），所述的Ag纳米线层（3）为单层的Ag纳米线铺设在SiO2绝缘层（2）上，Ag纳米线层（3）中的Ag纳米线均呈同向排列。
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