[发明专利]一种纳米合金粉末制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法有效
申请号: | 201610563161.0 | 申请日: | 2016-07-16 |
公开(公告)号: | CN106077642B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 索红莉;刘婧;喻丹;马麟;王毅;刘敏;孟易晨;孙硕 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | B22F3/105 | 分类号: | B22F3/105;B22F3/18;B22F5/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种纳米合金粉末制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法属于高温超导涂层导体用基带技术领域。本发明从改善坯锭组织出发,采用粒度在纳米级的高钨合金粉末进行坯锭制备,坯锭晶粒尺寸进一步细化的同时降低了烧结温度,增大了烧结致密度,得到了晶粒尺寸在3~5μm的高钨合金坯锭。与放电等离子烧结微米级合金粉末制备NiW坯锭相比,此方法制备的高钨合金坯锭立方织构形成能力进一步提升,在单层高钨及复合高钨合金基带的制备中意义明显。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 合金 粉末 制备 涂层 导体 用高钨 基带 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米合金粉末制备涂层导体用高钨合金基带坯锭的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)高钨合金粉末放电等离子烧结在手套箱中称量制备好的粒度在500~800nm、W原子百分含量为8~12的NiW合金粉末,置于石墨模具中,通过放电等离子烧结成型,烧结温度控制在750~780℃得到NiW合金坯锭;其中放电等离子烧结在真空条件下加压烧结,烧结压强为30MPa,升温速度为150℃/min,保温3min后随炉冷却;(2)形变将步骤(1)得到的NiW合金坯锭进行热轧开坯轧至8mm,轧制温度为1100~1300℃,每道次轧制压下量与轧前厚度之比为20~30%;冷轧轧至0.08mm,每道次轧制压下量与轧前厚度之比5%;(3)再结晶将轧制好的NiW合金带材经两步再结晶热处理得到强立方织构NiW合金基带;第一步再结晶热处理温度为700~750℃保温60min,第二步再结晶热处理温度为1050~1250℃保温120min;以上热处理均在H2体积分数为4%的Ar/H2混合气氛中进行,升温速度5℃/min,随炉冷却。
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