[发明专利]一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法及其产品及其应用有效
| 申请号： | 201610556000.9 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106966441B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 金一政;王欣;梁骁勇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;B82Y30/00;H01L33/14;H01L31/032;H01L29/24 |
| 代理公司： | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人： | 曾祥兵 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法及其产品及其应用。该制备方法包括：以羧酸镍作为前驱体制备氧化镍纳米晶溶液；将铜前驱体和非配位有机溶剂在惰性保护气氛下加热至60～200℃；将铜前驱体和非配位有机溶剂注入到温度为60～200℃的氧化镍纳米晶溶液中，保温20min～6h后纯化，获得CuxNi1‑xO胶体纳米晶；该铜前驱体为羧酸铜或碳负离子铜盐。本发明将CuxNi1‑xO胶体纳米晶的结晶过程从现有CuxNi1‑xO薄膜的结晶成膜过程中分离出来，结晶过程与成膜过程相互独立，从而可以以常规成膜方法制备薄膜，显著将薄膜退火温度降低至50～200℃，从而可以兼容耐高温性能较低的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 掺杂 氧化 胶体 纳米 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用羧酸镍作为前驱体制备氧化镍纳米晶溶液；S2、将铜前驱体和非配位有机溶剂在惰性保护气氛下加热至60～200℃；S3、将所述铜前驱体和非配位有机溶剂注入到温度为60～200℃的氧化镍纳米晶溶液中，保温20min～6h后纯化，获得铜离子掺杂氧化镍胶体纳米晶；所述铜前驱体为羧酸铜或碳负离子铜盐。
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